- 用于丝状真菌抗真菌分析的液滴微流控平台（下）上。在硅晶圆上制备SU8-2050负性光刻胶模具，通过紫外线照射和随后的显影（SU-8显影液）。将固化剂添加到PDMS基材至终浓度为10%（w/w）...2024-05-16 11:26:02
- 匀胶机旋涂仪常见问题及维护措施的旋涂程序，排气应该足以将任何化学蒸气从操作员身上抽走。排气 - 蚀刻、显影和清洁 在 Laurell EDC系统中进行水处理时，正确的排气水平更为...2024-05-13 11:21:58
- 国内外光刻胶发展及应用探讨过光线，其化学特性就会发生变化，因此把光刻胶涂敷在硅基片上，再经过曝光、显影、刻蚀等工艺，就可以将设计好的图形复刻到硅基片上，因此光刻胶成为了光电信...2024-05-10 09:47:04
- 基于微流控技术实现严格厌氧条件下的细菌单细胞培养与实时观测（上） ℃ 烘 1 min，取下硅片，冷却。 k. 用丙二醇甲醚醋酸酯(PM)显影液显影；随后用异丙醇冲洗残留显影液，接着用氮气吹干表面，于体视显微镜下观...2024-04-22 10:01:06
- AZ 5214E 光刻胶P）：去离子水30秒全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Pudd...2024-03-28 10:29:49
- AZ P4620 光刻胶：前烘：100℃ 90秒 (DHP)曝光：G线步进式曝光机/接触式曝光机显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 60~300秒 Pud...2024-03-28 10:29:14
- 光刻胶mJ/㎝?条件下进行曝光。曝光结束后，选择合适的烘烤温度及时间。将晶片在显影液中浸渍显影，随后用氮气吹干。AZ光刻胶AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到15...2024-03-28 10:18:53
- 进口 Microchem SU-8 光刻胶 2000系列 100-150mJ/㎝?条件下进行曝光。曝光结束后，选择合适的烘烤温度及时间。将晶片在显影液中浸渍显影，随后用氮气吹干。SU-8光刻胶的优点1、SU-8光刻胶在近...2024-03-28 10:12:32
- Microchem SU 8光刻胶 2000系列 25-75mJ/㎝?条件下进行曝光。曝光结束后，选择合适的烘烤温度及时间。将晶片在显影液中浸渍显影，随后用氮气吹干。SU-8光刻胶的优点1、SU-8光刻胶在近...2024-03-28 10:11:49
- Mirochem SU-8光刻胶 3000系列mJ/㎝?条件下进行曝光。曝光结束后，选择合适的烘烤温度及时间。将晶片在显影液中浸渍显影，随后用氮气吹干。SU-8光刻胶的优点1、SU-8光刻胶在近...2024-03-28 10:10:32
