寻找：新的制作纳米通道的必要性
与微流控芯片相比，纳流控芯片对加工技术提出了更高的要求。目前国外已有一些综述介绍了纳流控的研究进展，并对相应的加工技术进行了总结和展望。纵观现有的各种纳米加工技术，有许多是从微加工技术改进而来，均有其各自的优点和不足。其中应用最多的掩膜加工方法(Bulk nanomachining)，首先在基片上通过光刻、刻蚀形成通道，然后用另一块盖片与其封合形成芯片；这种方法原理简单，可用于复杂结构的制作；但制得的纳米通道易变形塌陷或堵塞，且无论用何种材料，芯片的封合始终是一个难点；为了得到更小宽度的通道，在这些方法中多使用精密的光刻技术，如电子束光刻(electron．beamlithography，EBL)、聚焦离子束光刻(focused．ion beam，FIB)等，成本昂贵，且不适用于多维纳米通道的加工制作。表面加工方法(Surface nanomachining)也称牺牲层技术(Sacrificial layertechnology)，是一种先形成闭合的芯片，然后除去牺牲层，在芯片中形成纳米通道的加工技术；但这种方法步骤繁琐而且耗时，牺牲层的刻蚀时间通常达数小时甚至数十小时。另外已报道的方法如纳米压印光刻方法(Nanoimprintlithography)，只能加工简单设计的芯片；掩埋通道技术(Buried channeltechnology)制作复杂，且要用到气相沉积(Chernical vapordeposition，cvo)真空技术；化学机械抛光技术(Chemical mechanical polishing)制作步骤较多，繁琐耗时。这些加工技术在制作纳米结构时，可以根据所要分析研究的物质及需要来制作相应尺寸、形态的纳米结构，使分析更有针对性。而且几种方法相结合，可以取长补短，虽然繁琐也能满足分析的要求，但这样将使成本更高，因此找到一种更简便、更低廉的方法来制作纳米通道将显得非常必要。
标签: 纳米通道 纳米技术 纳流控芯片
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