- 什么叫光刻胶的正胶显影和负胶显影什么叫光刻胶的正胶显影和负胶显影正胶显影：正性光刻胶的曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻胶上形成三维图形。 负胶显影：在负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶...2022-10-18 08:22:43
- Microchem SU-8光刻胶 2000系列2140.5-6μm100ml;500ml;1L;1加仑AZ 50XT 正胶AZ 50XT40-80μm100ml;500ml;1夸脱AZ 9260...2024-03-28 10:07:48
- 光刻胶再吸水蚀对未暴露的光刻胶在横向和纵向上也有一定的影响。 图2 不同再吸水条件下正胶显影状态。衬底一侧光刻胶显影越充分，即再吸水越完全，光刻胶的侧壁可能越陡...2024-07-29 10:02:11
- 光刻胶的一般特性介绍率，但是胶厚必须与光刻胶的选择比或者lift-off层厚度加以综合考虑。正胶的过曝过显和负胶的过曝欠显都会影响分辨率。烘烤温度过高，使得光刻胶软化流...2024-07-10 09:14:55
- 光刻胶的图形反转图形反转胶是比较常见的一种紫外光刻胶，它既可以当正胶使用又可以作为负胶使用。相比而言，负胶工艺更被人们所熟知。本文重点介绍其负胶工艺。应用领域在反转工艺下，通过适当的工艺参数，可以获得底切的侧壁形...2024-07-09 09:32:09
- 光刻胶去胶工艺光刻胶去胶剂进行处理并且无残留。如果去胶效果不良，应考虑以下可能的原因:正胶在140℃左右开始热交联(例如在坚膜、干法刻蚀或涂胶阶段)，这大大降低了...2024-07-05 09:43:47
- 微流控芯片一般光刻工艺过程足，由于胶薄膜中有太多的溶剂，在脱气过程中导致气泡的形成。“清零剂量”对正胶来说大面积曝光显影一定时间后无结构时对应的曝光剂量。这个曝光剂量对于图形...2024-07-04 09:13:40
- 光刻胶后烘技术工艺但是比较简单，本文就以下一些应用场景下介绍后烘的过程和作用。化学放大正胶机理当使用“正常”正胶时，曝光完成后光反应也就完成了，但是化学放大的光刻...2024-07-03 09:15:13
- 光刻胶显影区域不同，在特定的化学溶液中选择性的保留曝光区域（负胶）或者未曝光区域（正胶）的过程。从而获得最终所需的光刻胶结构。在前面的一般光刻工艺过程中我们简...2024-07-02 09:36:33
- 光刻胶的硬烘烤技术什么不利影响，如何获得期望的结果？热变形非交联型光刻胶的结构，即显影后的正胶和图形反转胶结构在加热后的软化温度 – 取决于光刻胶及其前面的工艺 – ...2024-07-01 11:48:28
