- 什么叫光刻胶的正胶显影和负胶显影什么叫光刻胶的正胶显影和负胶显影正胶显影：正性光刻胶的曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻胶上形成三维图形。 负胶显影：在负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻...2022-10-18 08:22:43
- Microchem SU-8光刻胶 2000系列光刻胶型号及参数光刻胶名称型号匀胶厚度规格MicroChem SU-8 负胶SU-8 2000.50.5-0.8μm100ml;500ml;1L;1...2024-03-28 10:07:48
- 光刻胶的一般特性介绍与光刻胶的选择比或者lift-off层厚度加以综合考虑。正胶的过曝过显和负胶的过曝欠显都会影响分辨率。烘烤温度过高，使得光刻胶软化流动也会破坏曝光图...2024-07-10 09:14:55
- 光刻胶的图形反转图形反转胶是比较常见的一种紫外光刻胶，它既可以当正胶使用又可以作为负胶使用。相比而言，负胶工艺更被人们所熟知。本文重点介绍其负胶工艺。应用领域在反转工艺下，通过适当的工艺参数，可以获得底切的侧壁形态。这种方法的主要...2024-07-09 09:32:09
- 光刻胶去胶工艺常见。由于超短波辐射的穿透深度较低，所以只有光刻胶的表面受到交联的影响。负胶在较高的温度下处理其交联可以通过后续的工艺步骤进一步加强，这步会导致光刻...2024-07-05 09:43:47
- 微流控芯片一般光刻工艺过程增大曝光剂量，也取决于需要的分辨率，最大的分辨率要求最高的曝光剂量。对于负胶未曝光区域显影30~40s厚度1-2um对应的清零曝光剂量，这个曝光剂量...2024-07-04 09:13:40
- 光刻胶后烘技术光刻胶的种类，通常在100-110℃的温度下持续几分钟。图形反转胶和交联负胶机理像AZ5214E这样的图形反转胶在反转工艺下需要在曝光后进行后烘工艺...2024-07-03 09:15:13
- 光刻胶显影在化学性质上与未暴光的区域不同，在特定的化学溶液中选择性的保留曝光区域（负胶）或者未曝光区域（正胶）的过程。从而获得最终所需的光刻胶结构。在前面的一...2024-07-02 09:36:33
- 光刻胶的硬烘烤技术，要求光刻胶侧壁也必须保持垂直，我们推荐使用热稳定性更高的光刻胶或交联型负胶来优化工艺。当然我们也可以利用这种光刻胶热变形获得一些特殊的结构，这就是...2024-07-01 11:48:28
- 光刻胶的浸涂工艺浸涂光刻胶当选择最适合于特定应用的浸涂光刻胶时，最基本的标准是选择正胶、负胶或图形反转胶，以及对应工艺下的分辨率和显影后的应用类型。光刻胶的溶剂成分...2024-06-26 09:18:28
