光刻基本操作步骤

一、认真核对随工单：检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无，退回上步工序。确定无误后，按照随工单上的要求制作。

二、光刻的主要步骤：

匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查

匀胶：

目的：在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的光刻胶

准备工作：

①、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片

②、检查胶瓶内光刻胶（胶液面距瓶底5厘米，及时更换新胶，并填写“换胶记录表”） 

③ 、按随工单加工工步、匀胶程序 确定表，选择正确的匀胶程序

注意：在匀胶过程中，如发 生不明原因的报警应通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个陪片，方可进行正式片的匀胶。

前烘

目的：将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发，增强抗显影能力

主要步骤：

①、将匀完胶的硅片从黑色的片架中倒入白色的四氟片架中

②、将硅片放入烘箱中，负胶烘15分钟，正胶25分钟

③、将烘好的硅片取出，倒入黑色聚乙烯片架中

注意：操作时必须带上手套操作

曝光

目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上

主要步骤：

①、检查光刻版：将光刻版放在UV灯下检查，照射背面检查是否有颗粒，若有用氮气吹掉，切忌不要吹正面

②、装版：将版盒打开，开口方向背对自己，将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上版盒，准备曝光

③、上版与对版：

        RTLD〉RCHG/N

        FILE NAME = C：MK609-

        RETICLE NAME = M2

        EXECUTE？

   ④、 曝光操作：

        FEXP〉PRNT/IO             

PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_找到  EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间（见 “曝光时间确定表”）HOW MANY WAFERS = _1_待片子上到载片台后，手动对准标记进行曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续进行曝光

曝光时间确定表

显影

目的：将未感光部分的负性光刻胶溶除，留下感光部分的胶膜；将感光部分的正性光刻胶 除，留下未感光部分的胶膜

注意事项：

①、检查N2压力不低于22PSI，真空压力必须大于22或23Hg/cm2,显影液压力调制15PSI

②、检查显影液是否够，若不够，要及时添加

③、机器若出现故障，及时通知班长或技术员

注意：氧化层光刻后带胶注入的片子一定要走热盘

显影后检查

目的：确定光刻胶成像情况及表面情况是否符合要求，以确定能否进行下道工序

基本步骤：

①、UV灯下检查光刻胶是否有划伤、沾污或覆盖不完全的情况

②、显微镜下检查是否没有光刻胶图形、重复曝光、浮胶、图形 套偏（错行，错位）、接触不良、曝光不适度、光刻胶覆盖不完全、显影不彻底、连条、沾污、缺口、毛刺等现象