- 如何成功进行微流控SU-8光刻胶的紫外曝光？以很容易的避免这个问题。但是还有另一个不可避免的现象，那就是在SU-8光刻胶曝光的过程中，可能会有一个巨大的后果。事实上，如果SU-8光刻胶通过旋涂技...2024-08-23 08:57:36
- 微流控芯片制造工艺（下）将掩模上的图案分成两个掩模，从而使特征之间有更大的分离。使用两个掩模将光刻胶曝光两次。 双重曝光的另一个优势是：同一布局中的不同特征（如不同颜色所示）...2024-06-25 08:47:32
- 匀胶“边胶”的产生及改善措施光过程中，边珠还会在光刻胶膜和掩膜板之间充当不必要的间隙，这通常会导致光刻胶曝光的图案分辨率低、尺寸误差大或显影后图案的侧壁不陡直等。消除“边胶”的措...2024-02-22 09:54:25
- 光刻工艺介绍，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变，有正性和负性光刻胶之分。正性光刻胶曝光的部分可溶解于显影液中，负性光刻胶胶未曝光的部分可溶于显影液中。光刻胶...2023-12-21 10:56:32
- 一文了解SU-8光刻胶放大光刻胶使用光致酸剂（PAG）作为光引发剂。 （光交联反应示意图）当光刻胶曝光后，曝光区域的光致酸剂（PAG）将会产生一种酸。这种酸在后热烘培工序期...2023-07-25 08:58:21
- 负显影 Negative Tone Development (NTD)的量产中[2]。 图1 常规的显影工艺与负显影工艺对比负显影的原理是：光刻胶曝光之前是不亲水的聚合物(hydrophobic polymer)，能溶解...2018-07-24 09:10:22
- 芯片光刻的流程详解（下）铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度 15～250C）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，...2018-07-12 08:59:24
- 微流控SU-8光刻胶的紫外曝光以很容易的避免这个问题。但是还有另一个不可避免的现象，那就是在SU-8光刻胶曝光的过程中，可能会有一个巨大的后果。事实上，如果SU-8光刻胶通过旋涂技...2017-12-21 08:58:06
- 光刻胶成分及用途刻胶的主要技术参数5.1．灵敏度（Sensitivity）灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘...2017-10-31 17:26:19
- 光刻基本操作步骤一、认真核对随工单：检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无...2017-10-25 09:31:42
