光刻蚀的基本工序

       微流控分析芯片上微通道的制作，起源于制作半导体及集成电路芯片所广泛使用的光刻和蚀刻技术。光刻蚀是用光胶、掩模和紫外光进行微制造，它的工艺成熟，已广泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微结构。光刻蚀技术由薄膜沉积、光刻和刻蚀三个工序组成。

       主要包括：

       薄膜沉积：光刻前先在基片表面覆盖一层薄膜，薄膜的厚度为数?到几十微米，这一工艺过程叫薄膜沉积。

       光刻：在薄膜表面用甩胶机均匀地覆盖上一层光胶。将光刻掩模上微流控芯片设计图案通过曝光成像的原理转移到光胶层上的工艺过程称为光刻。

       刻蚀：是将光胶层上的平面二维图形转移到薄膜上并进而在基片上加工成一定深度微结构的工艺。选用适当的刻蚀剂，使它对光胶、薄膜和基片材料的腐蚀速度不同，可以在薄膜或基片上产生所需的微结构。