湿法刻蚀工艺

干法刻蚀（Dry Etching）是使用气体刻蚀介质。 常用的干法刻蚀方法包括物理刻蚀（如离子束刻蚀）和化学气相刻蚀（如等离子体刻蚀）等。

与干法蚀刻相比，湿法刻蚀使用液体刻蚀介质，通常是一种具有化学反应性的溶液或酸碱混合液，是一种将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。

简单来说，就是中学化学课中化学溶液腐蚀的概念，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。由于所有的半导体湿法刻蚀都具有各向同性，所以无论是氧化层还是金属层的刻蚀，横向刻蚀的宽度都接近于垂直刻蚀的深度。这样一来，上层光刻胶的图案与下层材料上被刻蚀出的图案就会存在一定的偏差，也就无法高质量地完成图形转移和复制的工作，因此随着特征尺寸的减小，在图形转移过程中基本不再使用。

目前，湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等不涉及图形的环节，而在图形转移中干法刻蚀已占据主导地位。 这些溶液可以与待刻蚀材料发生化学反应，从而实现刻蚀。 硅湿法刻蚀是一种相对简单且成本较低的方法，通常在室温下使用液体刻蚀介质进行。

然而，与干法刻蚀相比，它的刻蚀速度较慢，并且还需要处理废液。 每个目标物质都需要选择不同的化学溶液进行刻蚀，因为它们具有不同的固有性质。 例如，在刻蚀SiO2时，主要使用HF； 而在刻蚀Si时，主要使用HNO3。 因此，在该过程中选择适合的化学溶液至关重要，以确保目标物质能够充分反应并被成功去除。

“各向同性”和“各向异性”

在介绍湿法蚀刻和干法蚀刻的区别时，必不可少的词是“各向同性”和“各向异性”。各向同性是指物质和空间的物理性质不随方向变化，各向异性是指物质和空间的物理性质随方向不同而不同。各向同性蚀刻是指在某一点周围蚀刻进行相同量的情况，各向异性蚀刻是指蚀刻在某一点周围根据方向不同进行的情况。例如，在半导体制造过程中的刻蚀中，往往选择各向异性刻蚀，以便只刮削目标方向，而留下其他方向。

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