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AZ P4620 光刻胶 -
AZ P4620 光刻胶
- 型号AZ P4620
AZ P4620 正性光刻胶特点超厚膜，高对比度，高感光度正型光刻胶，适用于半导体制造及GMR磁头制造。
AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。
AZ光刻胶特点：
高对比度，高感光度
高附着性，对电镀工艺高耐受性
多种黏度可供选择
AZ光刻胶工艺条件：
前烘：100℃ 90秒 (DHP)
曝光：G线步进式曝光机/接触式曝光机
显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 60~300秒 Puddle
清洗：去离子水30秒
后烘：120℃ 60秒以上
剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。
光刻胶产品型号及参数
| 光刻胶名称 | 型号 | 匀胶厚度 |
| Merck AZ 正/负可转换型光刻胶 | AZ 5214 | 0.5-6um |
| AZ 50XT 正胶 | AZ 50XT | 40-80um |
| AZ 9260 正胶 | AZ 9260 | 6.2-15um |
| AZ 4620 光刻胶 | AZ 4620 | 10-15um |
| MicroChem SU-8 负胶 | SU-8 2015 | 13-38um |
| MicroChem SU-8 负胶 | SU-8 2050 | 40-170um |
| MicroChem SU-8 负胶 | SU-8 2075 | 60-240um |
| MicroChem SU-8 负胶 | SU-8 3010 | 8-15um |
| MicroChem SU-8 负胶 | SU-8 3050 | 44-100um |
标签: 光刻胶 AZ光刻胶
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