微流控SU8掩膜版的制作方法

微流控SU8掩膜版的制作是一个复杂的工艺过程，涉及到多个步骤。以下是详细的制作流程：

1. 掩膜版设计

原理图设计：根据微流控芯片的设计要求，进行原理图设计，分析元件需接线方向，设计需要在掩膜版上印制的图案。

版图生成：使用专业的CAD软件生成掩膜版的版图，确保图案的精确性和完整性。

2. 掩膜版制作

基板准备：选择高洁净度、高平整度的石英玻璃作为基板。

镀层：在石英玻璃上镀上一层铬，铬上再覆盖一层防反射物质，最上面涂覆一层感光胶。

曝光：使用图形发生器通过选择性曝光在铬版的感光胶上形成所需版图图形。

显影：将曝光后的基板放入显影剂中，使未曝光部分的感光胶溶解，形成掩膜版的图案。

腐蚀：使用腐蚀液去除未被感光胶保护的铬层，形成最终的掩膜图形。

去胶：去除剩余的感光胶，完成掩膜版的制作。

3. 硅片基板准备

清洗：采用丙酮对硅片表面进行清洗，再使用超声波机对硅片进行超声处理，最后经等离子水清洗后，采用压缩空气吹干。

烘烤：将清洗干净的硅片放置在热板上进行烘烤，以去除残留的水分。

4. 涂覆SU8光刻胶

涂胶：在硅片表面涂覆一层SU8-2025光刻胶，可以采用滩涂的方法，借助光刻胶自身的整平能力获得满意平整表面的胶膜。

前烘：将涂胶后的硅片放置在电热板上进行前烘，采用阶梯式的升温和自然降温冷却的过程。

65℃停留30分钟

95℃停留4小时

自然冷却至室温

5. 光刻曝光

曝光：使用双面激光对准光刻机对硅片基板上的SU8-2025光刻胶进行曝光，根据设计要求设定曝光时间。

后烘：将曝光后的硅片放置在热板上进行后烘，以确保光刻胶的交联反应完成。

65℃停留20分钟

95℃停留2小时

自然冷却至室温

6. 显影

显影：将后烘后的硅片放入SU8显影液中，使未曝光部分的光刻胶溶解，形成模具的图案。

显影时间根据光刻胶厚度和显影剂浓度进行调整，此处显影时间20分钟

7. 清洗和检查

清洗：使用去离子水和异丙醇清洗硅片基板，去除残留的显影液。

检查：使用显微镜检查制备的SU-8模具，测试观察制备的微结构尺寸，确认图案的清晰度和质量。

微流控SU8掩膜版的制作是一个多步骤的精密工艺，需要严格控制每一步的操作条件，以确保最终产品的质量和性能。通过上述步骤，可以制备出高质量的微流控SU8掩膜版，为后续的微流控芯片制备提供基础。

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