SU-8光刻胶的光刻工艺
新型的化学增幅型负像SU-8光刻胶克服了普通光刻胶采用UV光刻深宽比不足的问题，十分适合于制备高深宽比微结构，因此SU-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它在近紫外光(365nm- 400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性;SU -8在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形;且SU-8胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用。由于它具有较多优点，SU -8胶正被逐渐应用于MFMS、芯片封装和微加工等领域。直接采用SU -8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件是微加工领域的一项新技术。
光刻前清洗工艺：
为了获得更好的光刻效果，在进行光刻胶旋涂之前，需要对基材进行清洗。常用的清洗方法是利用浓硫酸及双氧水的混合溶液浸泡，随后用去离子水清洗并用氮气吹干。除此之外还可以利用反应离子刻蚀或等离子表面清洗仪清洗。
SU-8光刻胶的光刻工艺
将SU-8光刻胶组分旋涂在基材上，施涂厚度几至几百微米。涂覆晶片随后在95摄氏度下干燥20分钟并随后冷却至室温。然后，将负光掩模与涂覆晶片接触并将所得组件用来自汞灯的紫外辐射在剂量250mJ/cm2，下进行成像方式曝光。然后，通过在95摄氏度下加热曝光晶片10分钟而进行热处理，或曝光后烘烤。浮雕图像随后通过将晶片在显影液中浸渍10分钟随后用水漂洗和在空气中干燥而显影。
膜厚与曝光时间关系表格（20mJ/cm2）
厚度/微米 | 曝光时间（min） |
1~40 | 0.75~3 |
45~75 | 3~5 |
80~110 | 6~15 |
115~150 | 15~20 |
160~225 | 20~30 |
膜厚与前烘时间关系表
厚度 | 前烘时间（min） | |
微米 | 65℃ | 95℃ |
0.5-2 | 1 | |
3-5 | 1-2 | |
6-15 | 2-3 | |
16-25 | 3-4 | |
25-40 | 0-3 | 5-6 |
45-80 | 0-3 | 6-9 |
85-100 | 3-5 | 10-20 |
115-150 | 5 | 20-30 |
160-225 | 5-7 | 30-45 |
膜厚与后烘时间关系表
厚度 | 后烘时间(min) | |
微米 | 65℃ | 95℃ |
0.5-2 | 1-2 | |
3-5 | 2-3 | |
6-15 | 3-4 | |
16-25 | 4-5 | |
25-40 | 1 | 5-6 |
45-80 | 1-2 | 6-7 |
85-100 | 2-5 | 8-10 |
115-150 | 5 | 10-12 |
160-225 | 5 | 12-15 |
膜厚与显影时间关系表格
厚度/微米 | 显影时间（min） |
25~40 | 1~3 |
45~75 | 2~5 |
80~110 | 2~7 |
115~150 | 3~9 |
160~225 | 4~15 |
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